探讨新型邯郸变压器的技术
特点一:分布邯郸变压器结构
在说到分布邯郸变压器结构之前我们先说一下分布邯郸变压器系统,分布邯郸变压器系统有两种结构类型,分别是两级结构和三级结构。分布邯郸变压器系统适合于用作超高速集成电路组成的大型工作站、大型数字邯郸变压器交换系统等的邯郸变压器。它有着可实现DC/DC变换器组件模块化、容易实现N+1功率冗余、易于扩增负载容量、可降低48V母线上的电流和电压降、容易做到热分布均匀、便于散热设计、瞬态响应好,可在线更换失效模块等优点。
特点二:功率半导体器件性能
我们看到的IGBT技术进展实际上是通态压降,快速和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,IGBT在20年历史发展进程中,分别是穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。
碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频半导体邯郸变压器元器件。由此我们不难看出碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料,它的出现将大大改进我们原有的产品设计性能。
特点三:高频磁与同步整流技术的革新
邯郸变压器在性能上对高频磁元件所用磁性材料有一定的要求,其中损耗小,散热性能好是基本的要求,只有达到这样的标准才能做到产品的优化,磁性能才会优越。适用于兆赫级频率的磁性材料是用户的一大关注点,纳米结晶软磁材料也已得到开发应用。
然而在拥有了高频化技术之后,提高邯郸变压器的效率是技术的另一难题,这就要求我们技术设计人员必须开发和应用软技术。而这种软技术的研究已经成为行业的多年来的科研热点,得到越来越多的设计者们的关注。
我们看过这样的技术,如同步整流SR技术,即以功率MOS管反接作为整流用二极管,代替萧特基二极管(SBD)。这个设计可降低管压降,从而提高电路效率。这就是我们在对于低电压、大电流输出的软变换器,我们想方设法降低的通态损耗,进一步提高其效率的措施。
特点四:PFC变换器
由于AC/DC变换电路的输入端有整流元件和滤波电容,在正弦电压输入时,单相整流邯郸变压器供电的邯郸变压器设备,电网侧(交流输入端)功率因数仅为0.6~0.65。采用PFC(功率因数校正)变换器,网侧功率因数可提高到0.95~0.99,输入电流THD小于10%。既治理了电网的谐波污染,又提高了邯郸变压器的整体效率。这一技术称为有源功率因数校正APFC单相APFC国内外开发较早,技术已较成熟;三相APFC的拓扑类型和控制策略虽然已经有很多种,但还有待继续研究发展。
一般高功率因数AC/DC邯郸变压器,由两级拓扑组成,对于小功率AC/DC邯郸变压器来说,采用两级拓扑结构总体效率低、成本高。
如果对输入端功率因数要求不特别高时,将PFC变换器和后级DC/DC变换器组合成一个拓扑,构成单级高功率因数AC/DC邯郸变压器,只用一个主管,可使功率因数校正到0.8以上,并使输出直流电压可调,调整后的直流电压就促进了PFC变换器的应用性能,最终实现总体的效率提高,成本降低。
特点五:邯郸变压器的功率密度的改进
邯郸变压器的小型化、减轻重量对便携式邯郸变压器设备尤为重要,一般会通过三种方案来做到降低邯郸变压器的功率密度。
5.1、采用新型电容器。减小电力邯郸变压器设备的体积和重量,必须设法改进电容器的性能,提高能量密度,并研究开发适合于电力邯郸变压器及邯郸变压器系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小,做到新型电容器的体积缩小作用。
5.2、应用压电变压器的改进。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量,其等效电路如同一个串并联谐振电路,进行应用压电变压器的改进。
5.3、实现高频化。为了实现邯郸变压器高功率密度,必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。
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